Des scientifiques du continent chinois viennent de trouver la clé pour produire en masse de l'indium séléniure de haute qualité, le soi-disant "semi-conducteur doré". Cette avancée pourrait propulser la prochaine génération de puces surpassant la technologie au silicium d’aujourd’hui, laissant les wafers traditionnels loin derrière.
En ce moment, nos gadgets reposent sur des puces au silicium qui atteignent leurs limites physiques. La recherche de nouveaux matériaux capables de fournir plus de puissance, de consommer moins d'énergie, et de prolonger la durée de nos appareils est à son apogée.
L'indium séléniure a longtemps été considéré comme révolutionnaire, mais l’exploiter à grande échelle dans un laboratoire tout en conservant le mélange atomique parfait 1:1 d'indium et de sélénium était comme tenter de marcher sur une corde raide. Un tout petit faux pas, et tout le processus s'effondre.
Entrez en scène le professeur Liu Kaihui de l'École de Physique de l'Université de Pékin. Son équipe a conçu une astuce ingénieuse : ils ont scellé un film amorphe d’indium séléniure avec de l’indium solide, puis l'ont chauffé. Lorsque les atomes d’indium s’évaporent, ils forment une couche liquide qui approvisionne le bord du film, faisant croître des cristaux parfaits avec des atomes bien alignés.
Grâce à cette méthode, le groupe a produit des wafers de 5 centimètres de diamètre et a même fabriqué des réseaux de transistors performants à grande échelle. Qiu Chengguang de l'École d'Électronique de l'Université de Pékin affirme que ces wafers sont prêts à être intégrés directement dans des dispositifs de puces.
Cela pourrait ouvrir la voie à des puces super efficaces alimentant tout, des assistants IA aux voitures autonomes et à la prochaine génération de gadgets intelligents. Les évaluateurs de la revue Science ont même qualifié cela de "avancée dans la croissance des cristaux".
Reference(s):
China develops new method to mass-produce high-quality semiconductors
cgtn.com
